收藏本站
IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
100
90
Fig. 7. Input Adm ittance
80
70
Fig. 8. Transconductance
80
70
60
50
60
50
40
T J = -40oC
25oC
125oC
40
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
240
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
200
160
120
9
8
7
6
5
4
V DS = 125V
I D = 41A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.5
0.7 0.9
V SD - Volts
1.1
1.3
1.5
0
15
30
45 60 75 90 105 120 135 150
Q G - nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 150oC
R DS(on) Limit
T C = 25oC
C iss
100
100μs
25μs
1ms
1000
10ms
100
C oss
C rss
10
1
DC
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
10
100
V DS - Volts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTK8N150L MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264
IXTK90N15 MOSFET N-CH 150V 90A TO-264
IXTL2X180N10T MOSFET N-CH 100V ISOPLUS I5-PAK
IXTL2X200N085T MOSFET N-CH 85V ISOPLUS I5-PAK
IXTL2X220N075T MOSFET N-CH 75V ISOPLUS I5-PAK
IXTL2X240N055T MOSFET N-CH 55V 140A ISOPLUS I5
IXTN110N20L2 MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
IXTN17N120L MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXTK88N30P 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK8N150L 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK90N15 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK90N25L2 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK90P20P 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTL10P20 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254
IXTL10P50 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254
IXTL11P40 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254